ضمن فعاليات النشاط العلمي والثقافي للفصل الاول  لقسم الهندسة الكيمياوية للعام الدراسي 2019-2020 القى م.د. (حيدر عبد الكريم) محاضرة بعنوان:

Crystal growth of ErN and ScN via physical vapor transport: synthesis, properties, characterization, and process simulation.

النمو البلوري للـ ScN و ErN بطريقة الانتقال الفيزياوي للبخار: التصنيع، الخواص، و محاكاة العملية.

 وذلك على قاعة الخوارزمي بحضور السيد رئيس قسم الهندسة الكيمياوية أ.م.د. خالد عجمي سكر والسادة المعاونون ورؤوساء الفروع وعدد من تدريسيي ومنتسبي وطلبة الماجستير والدكتوراة وذلك يوم الخميس الموافق24/10/2019

 اوضح المحاضر ان اشباه الموصلات تمثل العنصر الاساسي في صناعة الشرائح الكهربائية. تُستخدم بلورات عالية النقاوة و الترتيب البلوري لانتاج اشباه الموصلات. توجد عدة طرق لانتاج البلورات و من ضمنها طريقة الانتقال الفيزياوي للبخار. تتميز هذه الطريقة بانتاج بلورات نقية و ذلك يُعزى الى مبدأ الطريقة و هو التسامي.

 Semiconductors represent the heart of microprocessor chips. They are made of highly structural single crystal materials. Several methods are employed to grow these crystals one of which is physical vapor transport. It can produce high quality and pure crystals due to its fundamental principle of sublimation.